信息存储应用技术
  • 印刷电子装置的功能性衬底的制作方法
    本申请要求2016年12月1日提交的美国临时实用新型专利申请号62/428,878的优先权和权益,其全部内容通过引用合并于此。本发明一般涉及由功能性衬底组件形成的电路装置。具体地,该衬底具有设计成与印刷电子装置相互作用以执行机械支撑以外的功能的特性。印刷或真空形成的电子装置越来越多地用于各...
  • 响应标签匹配命令的存储电路的制作方法
    本技术涉及存储电路领域。有多种技术可用于实现数据处理系统的存储电路,包括例如SRAM(静态随机存取存储器)、DRAM(动态随机存取存储器)、PRAM(相变随机存取存储器)、MRAM(磁阻随机存取存储器)。某些类型的存储技术,例如DRAM,提供按行和列进行组织的存储位置阵列,并且对于给定存储...
  • 存储器装置、电荷帮浦电路以及其电压泵激方法与流程
    本发明涉及一种电荷帮浦电路以及一种电压泵激方法,且特别涉及一种电荷帮浦电路与电压泵激方法,用以产生一个编程电压和/或抹除电压给存储器装置。近年来,非易失性的存储器装置应用在电子装置中日益普及,为了在非易失性存储器装置中提供编程电压与抹除电压,在现有技术中,电荷帮浦电路在非易失性存储器装置中...
  • 记忆体测试阵列及其测试方法与流程
    本发明是有关于一种记忆体测试阵列及其测试方法。记忆体是用以储存数据或数据的半导体元件,主要可分为非挥发性记忆体与挥发性记忆体两种。随着科技的蓬勃发展,产业对于记忆体的需求也逐渐提升,例如高可靠度、高擦写次数、快速的储存速度以及大容量等。因此,半导体产业持续努力开发各种技术以缩减元件尺寸,并...
  • 存储器件及其测试方法与流程
    本申请要求于2017年12月8日提交的申请号为10-2017-0168344的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体并入本文。本发明的各种示例性实施例涉及一种半导体设计技术,并且更具体地,涉及一种存储器件的测试操作。存储器件的存储单元由用作开关的单元晶体管和用于储存电荷(数据)的单元...
  • 检测电路及应用其的存储器的制作方法
    本发明涉及半导体存储器,尤其涉及一种检测电路及应用其的存储器。存储器包括阵列分布的多个存储单元以及多条列信号线,其中,列信号线连接驱动单元以及沿直线纵向分布的存储单元,也就是说,列信号线贯穿多个存储单元从驱动单元(近端)一直延伸到远端,因此,列信号线非常长,容易发生故障,如完全断裂...
  • 芯片功能自动化测试方法、装置和计算机设备与流程
    本发明涉及固态硬盘,特别是涉及一种芯片功能自动化测试方法、装置、计算机设备和存储介质。目前,随着固态硬盘技术的发展,对于芯片的测试效率要求越来越高,具体地,在芯片进行测试时,需要使用多种测试程序对芯片进行测试,以生成完整的芯片测试报告。在传统技术中,传统的芯片测试多采用人工接管芯片...
  • 存储器完整性的检验方法、非易失性存储器以及电子装置与流程
    本发明涉及一种存储器的检验技术,尤其涉及一种存储器完整性的检验方法、非易失性存储器以及电子装置。在不供电期间中仍可长时间储存数据的非易失性存储器(如,快取存储器)是诸多电子装置中的必要组件之一。非易失性存储器的可靠度问题与其自身的数据保留(dataretention)生命期限有关,换句话...
  • 用于执法记录仪存储介质的坏区标识方法及系统与流程
    本发明涉及一种存储介质坏区标识方法及系统,特别涉及一种用于执法记录仪存储介质的坏区标识方法及系统。执法记录仪记录影像,照片,录音等资料,需要存储在存储介质中,才能保存下来,方便后续随时查看和使用。存储介质以扇区为基本单位保存数据,在长期存储资料过程中,部分扇区遭到损坏,数据存储在这种扇区,...
  • 用于FPGA的N模冗余配置存储单元电路的制作方法
    本发明涉及集成电路,涉及一种用于FPGA的N模冗余配置存储单元电路。自20世纪70年代以来,随着微电子技术的发展,出现了各种类型的通用型可编程逻辑器件PLD。其中,以基于SRAM的FPGA应用较为广泛。用户可以通过软件对器件编程配置存储单元SRAM来实现所需的逻辑功能,而不必由自己...
  • 用于人工智能处理的集成电路的制作方法
    本专利文件总体上涉及读取集成电路中的存储器单元,并且具体地涉及读取人工智能芯片中的一次性可编程(OTP)磁阻随机存取存储器(MRAM)中的存储器单元。存储器是具有低功率和高性能特性的人工智能(AI)芯片中的重要组件,这是因为每个AI引擎通常由多个存储器组件组成。存储器诸如MRAM存储器中的...
  • 一种存储器编程方法及相关装置与流程
    本发明涉及存储器件,尤其涉及一种存储器编程方法及相关装置。存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。作为一种典型的非易失性半导体存储器,已知的NAND(Not-And,与非型)闪存器由于具有较高的存储密度、可控的生产成本、合适的编擦速度及保持特性,已经成为存储市...
  • 一种ROM漏电补偿电路及其设计方法和调节方法与流程
    本发明属于只读存储器(ROM),具体而言,涉及一种ROM漏电补偿电路及其设计方法和调节方法。只读存储器(ROM)是计算机和其他电子设备中使用的一种非易失性存储器。存储在ROM中的数据只能读取,不能修改,因此它主要用于存储固件。严格地说,只读存储器是指硬连线的存储器,例如二极管矩阵和...
  • 半导体存储器装置及其操作方法与流程
    本申请要求于2017年12月27日提交的申请号为10-2017-0181079的韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请通过引用全部并入本文。本公开的各个示例性实施例总体涉及一种电子装置。特别地,实施例涉及一种半导体存储器装置及其操作方法。存储器装置可以二维结构形成或以三维结构形成,在...
  • 在由线性电源供电的嵌入式系统中实现掉电Flash保存的电路及方法与流程
    本发明涉及一种在由线性电源供电的嵌入式系统中实现掉电Flash保存的电路及方法。在由线性电源供电的嵌入式系统中,一般指单片机系统,工作过程中如果掉电需要进行数据的保存。目前,采用的技术手段为为单片机增加外部非易失性存储器例如EEPROM或为系统增加后备电池供电,加EEPROM的方案单片机对...
  • 操作非易失性存储器装置的方法以及擦除数据的方法与流程
    本发明的示例实施例涉及一种半导体装置,更具体地,涉及一种非易失性存储器装置和操作非易失性存储器装置的方法。半导体存储器装置通常能够根据在与电源断开时它们是否保持存储的数据而被划分为两个类别。这些类别包括:当与电源断开时丢失存储的数据的易失性存储器装置以及当与电源断开时保持存储的数据...
  • 一种减少非易失性闪存块擦除操作漏电流的方法、装置与流程
    本发明属于存储器读写擦除,具体涉及一种减少非易失性闪存块擦除操作漏电流的方法及装置。当今,数据存储是计算机使用中的一项重要功能。非易失性存储器,是其中重要的一个类型,NORFlash(非易失性闪存)是常用的非易失性存储器。对于NORFlash产品来说,读、写、擦是其最基本的三个...
  • 一种三维存储器及其编程操作方法与流程
    本发明涉及存储器,尤其涉及一种三维存储器及其编程操作方法。随着微电子产业的发展,半导体存储器的集成度越来越高。三维存储器被提出,尤其3DNAND的应用越来越广泛。3DNAND结构包括多个存储模块(Block),每个存储模块中包括多个串,每个串中由下往上依次包括下选择管、下冗余层...
  • 固态硬盘装置与相关的固态硬盘控制电路的制作方法
    本发明涉及固态硬盘(solid-statedrive,SSD),尤指一种可弹性调整数据编程模式(programscheme)的固态硬盘装置与相关的固态硬盘控制电路。固态硬盘装置中包含许多快闪存储器块,这些块通常会被划分为预留空间块(overprovisionblock,OPblo...
  • 半导体存储装置的制作方法
    本申请享有以日本专利申请2017-252186号(申请日:2017年12月27日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置。作为半导体存储装置,已知有NAND型(Not-And,与非)闪速存储器。发明内容实施方式提...
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